- Оптична спектроскопія УФ-ВИД:
- температурний діапазон вимірювань 4,2-350 К;
- спектральний діапазон 250-1000 нм;
- метод вимірювання на базі автоматизованого комплексу ЗМР-3 – ІВМ РС;
- зразки у формі паралелепіпеда – від 2*103х4*103х8мкм до 10х10х5 мм;
- Люмінесцентні дослідження широкозонних об’єктів
- температурний діапазон вимірювань 4,2-350 К;
- спектральний діапазон 200-600 нм з нормуванням потоку енергії;
- метод вимірювання на базі автоматизованого комплексу МДР-4 – ІВМ РС;
- діапазон вимірюваних струмів – 10^(-7) – 10^(-14) А;
- зразки у формі паралелепіпеда – від 2х4х8, 4х4х8 до 4х4х10 мм;
- контакти термо- і механічно стійкі, спосіб нанесення контактів – напилення Cu, Ag, Au або аквадагу в залежності від типу зразків;
- опір зразків – 10^6-10^14 Ом;
- Фотоелектричні дослідження широкозонних матеріалів
- Вимірювання електропровідності 2-х зондовим методом
- діапазон вимірюваних опорів 1-10^6 Ом;
- температурний інтервал 4,2-420 К;
- розмір зразків (1-2)х(1-2)х(6-8) мм, бажане і необхідне співвідношення ширина (висота) до довжини a/b=1/(4-6);
- контакти – омічні, паяні або осаджені, забезпечення механічної міцності та стійкості до перепаду температури;
- монтаж зразків – кріплення (наклеювання) зразка і контактів на діелектричну підкладку (ситал) розміром 8х10 мм;
- консультації з приготування зразків до вимірювань;
- Експрес-вимірювання електропровідності (те саме, що п.4.1.), 20 точок на діапазон 4,2 до 80 К. Відповідальний – інженер I кат. Перейма З.І.;
- Вимірювання термо-е.р.с.
- вимірювання коефіцієнта термо-е.р.с. методом прямого вимірювання Ех;
- температурний інтервал 4,2-420 К;
- діапазон вимірювання напруг – від 0,2 мкВ;
- автоматичні вимірювання на базі КАМАК-ІВМ РС 300-1000 точок на діапазон;
- розмір зразків — див. в п.4;
- відповідальний за вимірювання — с.н.с. Кужель Б.С.
- ЕПР-радіоспектроскопія(77 К)
- Магнітні дослідження матеріалів
- Люмінесцентні і фотоелектричні дослідження у ближній ІЧ області
- Оптична спектроскопія ВУФ
- Гальваномагнітні вимірювання
- Оптична спектроскопія ІЧ діапазону
- Спектроскопія розсіяння
- Кінетичні явища в напівпровідниках
- Ємнісна спектроскопія дефектів у напівпровідниках
- Рентгеноструктурні дослідження
- Скануюча електронна мікроскопія та рентгенівський мікроаналіз на базі растрового електронного мікроскопа – мікроаналізатора РЕММА-102-02 (з 2005 р.)
- Спостереження поверхонь у вторинних (ВЕ) та пружно-відбитих електронах (ПВЕ):
- роздільна здатність в режимі ВЕ, нм: не більше 5,0
- діапазон зміни збільшення, кратність: 10 – 300000
- діапазон зміни прискорюючих напруг, кВ: 0,2 – 40
- Якісний та кількісний мікроаналіз спектрометрами хвильової та енергетичної дисперсії:
- діапазон аналізованих елементів: від 5B до 92U
- роздільна здатність ∆λ/λ кристал-дифракційного спектрометра на лінії Cu Kα, не більше: 5,5 * 10^(-3)
- роздільна здатність енергодисперсійного рентгенівського мікроаналізу на лінії Mn Kα, еВ, не більше: 143
- тиск у колоні, мПа, не більше: 1,33
- розмір зразка, мм, не більше: Ø 100х18
- Структурні дослідження
проводяться з листопада 2005 р. на базі електронографа ЕМР-100 у двох режимах:
проходження електронів через тонкий зразок та відбивання електронів від поверхні масивного зразка- Режим пропускання електронів:
- товщина тонких плівок в залежності від сполуки – 30-70 нм;
- зразки для досліджень отримують осадженням на лужно-монокристалічні підкладки;
- результатом досліджень є встановлення типу структури, якості структури, визначення параметрів гратки;
- Режим пропускання електронів:
- розмір зразків – (10х10) мм, (10х5) мм;
- монтаж зразків – механічне кріплення або наклеювання (піцеїн, віск);
- режим дозволяє встановити тип приповерхневого шару та його структурну якість;
- режим відбивання не руйнує поверхню зразка;
- прискорюююча напруга 25, 50, 75, 100 кВ;
- температурний діапазон досліджень 293-1000 К;
- Режим пропускання електронів:
- Напилення тонких плівок
- Напилення діелектричних і напівпровідникових тонких плівок за допомогою установки ВЧ – магнетронного розпилення УРМ-3:
- лінійні розміри зразків (1-20)х(5-50)х(5-50) мм;
- підігрів підкладки 293-873 К;
- напилення в атмосфері робочих газів Ar, N2;
- мішень діаметром 8,3 см, виготовлена з пресованого порошку напилюваного матеріалу;
- Напилення металічних плівок за допомогою вакуумного універсального поста ВУП – 5М;
- Електронне розпилення:
- лінійні розміри зразків ‑ (1-20)х(5-50)х(5-50) мм;
- підігрів підкладок діаметром до 25 мм з контролем температури в діапазоні 323-573 К;
- розпилювана речовина.
- Термічне випаровування;
- Електронне розпилення:
- Випаровування вугілля з використанням ВУП-5М:
- підігрів зразків до Т=1373 К за допомогою пристрою на базі ВУП – 5М, dзр≤25 мм;
- Іонна обробка зразків на базі ВУП-5М:
- лінійні розміри зразків ‑ (1-4)х(5-25)х(5-25) мм;
- Напилення діелектричних і напівпровідникових тонких плівок за допомогою установки ВЧ – магнетронного розпилення УРМ-3:
- Атомно-силова та тунельна мікроскопія на базі скануючого зондового мікроскопа Solver P47-PRO (з 2010 р.>)
- Атомно-силова мікроскопія:
Роздільна здатність: горизонтальна – 10 нм; вертикальна < 10 А;- Контактний режим:
- метод постійної сили;
- метод резистивного зображення;
- метод модуляції сили;
- Напівконтактний режим:
- метод постійної амплітуди;
- магнітна та електростатична силова спектроскопія;
- Безконтактний режим;
- Контактний режим:
- Скануюча тунельна мікроскопія:
- метод постійного струму;
- метод постійної висоти;
- I(V) спектроскопія;
- Літографія:
- контактна силова літографія;
- електрична літографія.
- Атомно-силова мікроскопія:
- Дослідження парамагнітних центрів методом електронного парамагнітного резонансу при кімнатних температурах і при температурах рідкого азоту:
Панасюк М.Р.- інженер I кат. та Цибульський В.С.- майстер виробн. навч.
Кужель Б.С.- с.н.с.
Бурак П.С.- інженер I кат.
Серкіз Р. Я. – інженер I кат.
Турко Б. І. – зав. лаб.
Партика М.В. – зав. лаб.