Головна › Експериментальні методики наявні в ЦННТ

Експериментальні методики наявні в ЦННТ

  1. Оптична спектроскопія УФ-ВИД:
    • температурний діапазон вимірювань 4,2-350 К;
    • спектральний діапазон 250-1000 нм;
    • метод вимірювання на базі автоматизованого комплексу ЗМР-3 – ІВМ РС;
    • зразки у формі паралелепіпеда – від 2*103х4*103х8мкм до 10х10х5 мм;
  2. Люмінесцентні дослідження широкозонних об’єктів
    • температурний діапазон вимірювань 4,2-350 К;
    • спектральний діапазон 200-600 нм з нормуванням потоку енергії;
    • метод вимірювання на базі автоматизованого комплексу МДР-4 – ІВМ РС;
    • діапазон вимірюваних струмів – 10^(-7) – 10^(-14) А;
    • зразки у формі паралелепіпеда – від 2х4х8, 4х4х8 до 4х4х10 мм;
    • контакти термо- і механічно стійкі, спосіб нанесення контактів – напилення Cu, Ag, Au або аквадагу в залежності від типу зразків;
    • опір зразків – 10^6-10^14 Ом;
  3. Фотоелектричні дослідження широкозонних матеріалів
  4. Вимірювання термо-е.р.с.
    • вимірювання коефіцієнта термо-е.р.с. методом прямого вимірювання Ех;
    • температурний інтервал 4,2-420 К;
    • діапазон вимірювання напруг – від 0,2 мкВ;
    • автоматичні вимірювання на базі КАМАК-ІВМ РС 300-1000 точок на діапазон;
    • розмір зразків — див. в п.4;
  5. ЕПР-радіоспектроскопія(77 К)
  6. Магнітні дослідження матеріалів
      Дослідження парамагнітних центрів методом електронного парамагнітного резонансу при кімнатних температурах і при температурах рідкого азоту:
  7. Люмінесцентні і фотоелектричні дослідження у ближній ІЧ області
  8. Оптична спектроскопія ВУФ
  9. Оптична спектроскопія ІЧ діапазону
  10. Ємнісна спектроскопія дефектів у напівпровідниках
  11. Скануюча електронна мікроскопія та рентгенівський мікроаналіз на базі растрового електронного мікроскопа – мікроаналізатора РЕММА-102-02 (з 2005 р.)
    1. Спостереження поверхонь у вторинних (ВЕ) та пружно-відбитих електронах (ПВЕ):
      • роздільна здатність в режимі ВЕ, нм: не більше 5,0
      • діапазон зміни збільшення, кратність: 10 – 300000
      • діапазон зміни прискорюючих напруг, кВ: 0,2 – 40
    2. Якісний та кількісний мікроаналіз спектрометрами хвильової та енергетичної дисперсії:
      • діапазон аналізованих елементів: від 5B до 92U
      • роздільна здатність ∆λ/λ кристал-дифракційного спектрометра на лінії Cu Kα, не більше: 5,5 * 10^(-3)
      • роздільна здатність енергодисперсійного рентгенівського мікроаналізу на лінії Mn Kα, еВ, не більше: 143
      • тиск у колоні, мПа, не більше: 1,33
      • розмір зразка, мм, не більше: Ø 100х18
  12. Напилення тонких плівок
    1. Напилення діелектричних і напівпровідникових тонких плівок за допомогою установки ВЧ – магнетронного розпилення УРМ-3:
      • лінійні розміри зразків (1-20)х(5-50)х(5-50) мм;
      • підігрів підкладки 293-873 К;
      • напилення в атмосфері робочих газів Ar, N2;
      • мішень діаметром 8,3 см, виготовлена з пресованого порошку напилюваного матеріалу;
    2. Напилення металічних плівок за допомогою вакуумного універсального поста ВУП – 5М;
      1. Електронне розпилення:
        • лінійні розміри зразків ‑ (1-20)х(5-50)х(5-50) мм;
        • підігрів підкладок діаметром до 25 мм з контролем температури в діапазоні 323-573 К;
        • розпилювана речовина.
      2. Термічне випаровування;
    3. Випаровування вугілля з використанням ВУП-5М:
      • підігрів зразків до Т=1373 К за допомогою пристрою на базі ВУП – 5М, dзр≤25 мм;
    4. Іонна обробка зразків на базі ВУП-5М:
      • лінійні розміри зразків ‑ (1-4)х(5-25)х(5-25) мм;
  13. Атомно-силова та тунельна мікроскопія на базі скануючого зондового мікроскопа Solver P47-PRO (з 2010 р.>)
    1. Атомно-силова мікроскопія:
      Роздільна здатність: горизонтальна – 10 нм; вертикальна < 10 А;

      1. Контактний режим:
        • метод постійної сили;
        • метод резистивного зображення;
        • метод модуляції сили;
      2. Напівконтактний режим:
        • метод постійної амплітуди;
        • магнітна та електростатична силова спектроскопія;
      3. Безконтактний режим;
    2. Скануюча тунельна мікроскопія:
      • метод постійного струму;
      • метод постійної висоти;
      • I(V) спектроскопія;
    3. Літографія:
      • контактна силова літографія;
      • електрична літографія.
Панасюк М.Р.- інженер I кат. та Цибульський В.С.- майстер виробн. навч.
Проведення рентгено-структурних досліджень в лабораторії низьких температур і наноматеріалів.
Бурак П.С.- інженер I кат.
Бурак П.С.- інженер I кат.
microscop
serkiz
Проведення якісного та кількісного мікроаналізу спектрометрами хвильової та енергетичної дисперсії.
Турко Б. І. - зав. лаб.
Напилення діелектричних і напівпровідникових тонких плівок за допомогою установки ВЧ – магнетронного розпилення.
AFM
AFM1
AFM_Partyka
Вимірювання топографії за атомно-силовим мікроскопом.