У Центрі нанооб’єктів і низькотемпературних досліджень було розроблено методику аналізу радіовольтаїчних властивостей матеріалів. Вона дозволяє вивчати процеси генерації електричного струму під впливом рентгенівського випромінювання, що відкриває нові можливості для створення ефективних рентгеновольтаїчних пристроїв.
Методика була випробувана на кристалах родини перовскітів (MAPbI₃), які демонструють унікальні фотогальванічні та сцинтиляційні властивості. Дослідження підтвердили, що для досягнення рентгеновольтаїчного ефекту необхідно перевести зразки із антисегнетоелектричного у сегнетоелектричний стан. У такому стані матеріал здатний генерувати фотострум під впливом рентгенівського випромінювання.
Результати досліджень опубліковані в науковій статті, що містить детальний аналіз отриманих даних та перспективи застосування нової методики.